Оперативна пам'ять Samsung | Напруга живлення : 1.2 В

DDR4, 16 ГБ, У наборі - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, non-ECC, немає

DDR4, 8 ГБ, У наборі - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, немає

DDR4, 8 ГБ, У наборі - 1, 2400 МГц, CL17, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, немає

DDR4, 4 ГБ, У наборі - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, немає

DDR4, 32 ГБ, У наборі - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, non-ECC, немає

DDR4, 16 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL22, Напруга живлення - 1.2 В, Підсвічування - немає

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 2Rx4

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 2Rx4

DDR4, 8 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Напруга живлення - 1.2 В, Підсвічування - немає

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 1Rx4

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 2Rx4

2666 МГц, CL19, 1.2 В, ECC, Registered, для серверов

3200 МГц, 1.2 В, ECC, Unbuffered, 2Rx8

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Unbuffered, 2Rx8

DDR4, 32 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL22, Напруга живлення - 1.2 В, Підсвічування - немає

DDR4, 4 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 2133 МГц, Таймінги - CL15, Напруга живлення - 1.2 В