Оперативная память Samsung | Тип памяти : DDR4

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, non-ECC, нет

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, non-ECC, нет

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 2400 МГц, CL17, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

2666 МГц, CL19, 1.2 В, ECC, Registered, (Kit:1x8192MB), для серверов

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 2Rx4

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 2Rx4

2666 МГц, CL19, 1.2 В, ECC, Registered, для серверов

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 1Rx4

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 2Rx4

3200 МГц, 1.2 В, ECC, Unbuffered, 2Rx8

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Unbuffered, 2Rx8

DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2133 МГц, Тайминги - CL15, Напряжение питания - 1.2 В